替代GaP探测器的最优选择 - SiC探测器
近期,世界范围内所有基于GaP的UV光电二极管的制造商都停止生产GAP光电二极管,市场亟需一款能够最大限度替代该光电二极管的产品。由sglux制造的SiC UV光电二极管成为了市场当下最优的选择之一。 下面就来具体看一下。
下图比较了SiC光电二极管和GaP光电二极管的光谱响应度。
图1显示,光谱响应度存在一定差异。 图2显示了SiC光谱响应度与GaP响应度的比值。 在218nm - 332nm之间,SiC的响应度显著优于GaP。 在210nm-218nm和332nm-346nm范围内,SiC的响应度大于GaP的50%。当波长>346nm,SiC的响应度较低,并在大约在380nm时降至0。
结论
对于峰值辐射在210nm-346nm之间的测量应用(例如UV紫外消毒、水质分析或燃烧火焰控制),SiC UV光电二极管可以完全替代GaP UV光电二极管,甚至可以输出更高的光电流。仅346nm-380 nm的峰值辐射照射下的SiC器件与GaP(在相同的有源区域)相比会输出较低的光电流。但如果辐射强度很高,例如在365nm的固化应用中,SiC的电流输出仍将保持在可用水平。