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替代GaP探测器的最优选择 - SiC探测器

　　对于峰值辐射在210nm-346nm之间的测量应用（例如UV紫外消毒、水质分析或燃烧火焰控制），SiC UV光电二极管可以完全替代GaP UV光电二极管，甚至可以输出更高的光电流。仅346nm-380 nm的峰值辐射照射下的SiC器件与GaP（在相同的有源区域）相比会输出较低的光电流。但如果辐射强度很高，例如在365nm的固化应用中，SiC的电流输出仍将保持在可用水平。