$$EPD-660-1-0.9_EPIGAP_砷化镓光电二极管(GaAs-PD)__阵列_模组_派铼兹科贸

$$EPD-660-1-0.9

探测器材料	光敏尺寸	响应波长-范围	响应波长-峰值	响应度-峰值	上升沿时间	暗电流	分流电阻	封装	电容	封装类型	引脚数	窗口	原厂封装	工作温度-范围	噪声等效功率	反向击穿电压
AlGaAs/GaAs	0.62mm²	620 … 700 nm	660 nm	0.42A/W@0V	40 ns@-1V	40 pA@-1V	400 GΩ@-10mV	-	50 pF@0V	SMD		-	SMD 1206	-20 … +85℃	8.5E-15W/√Hz@660nm	10V@10μA

派铼兹

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