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905D5S3J08S

特性

nanostack器件，功率高达650W, 经验证的InGaAs/GaAs高可靠性结构, 窄远场高功率大光腔结构, 极佳的温度稳定性,,密封和定制设计封装,

产品信息

峰值波长	温度系数-波长	光谱线宽	峰值功率	峰值电流	发光尺寸	发散角	封装	封装类型	引脚数	窗口	原厂封装	工作温度-范围	最大占空比
905 nm	0.27 nm/℃	7 nm	325W@21℃,150ns,6.6kHz	30A@21℃,150ns,6.6kHz	200 × 440 μm	25 × 10°	TO-18	TO	2	-	TO-18	-45 … 85℃	0.1%

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Datasheet
1024KB/PDF