首页｜产品信息｜硅雪崩光电二极管｜近红外增强型｜ Reach-Through贯穿型

SAR3500E1

特性

非常高的量子效率,低噪声，高速, 可实现M＞200倍增增益,500um和更大光敏面直径, 平缓的倍增曲线, 宽工作温度范围,可供应光纤耦合型

产品信息

光敏尺寸	暗电流	上升沿时间	反向击穿电压	温度系数-击穿电压	封装	封装类型	引脚数	窗口
Ø3500 μm	4 nA@M=100	0.5 ns@M=100	250 … 350V@10μA	3.1V/K	TO-8	TO	3	-

相关文档

Datasheet
1024KB/PDF