首页 | 产品信息 | InGaAs雪崩光电二极管通用型 IAE200S5

特性

      80或200um光敏面, 超过400MHz典型带宽, 1000到1650nm量子效率超过70%, 低暗电流和噪声,修改的TO-46或陶瓷基板封装

产品信息

光敏尺寸 暗电流 带宽 反向击穿电压 温度系数-击穿电压 封装 封装类型 引脚数 窗口
Ø200 μm 10 nA@M=10 0.4 GHz@M=10 40 … 80V@10μA 0.1V/K TO-46 TO 2 -

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 Datasheet
1024KB/PDF