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产品信息
光传感器
铟镓砷雪崩光电二极管
High Responsivity InGaAs-APD高响应
IAG200S6
80、200或350um光敏面, 高达2.5GHz带宽, 1000到1650nm量子效率超过70%, 低暗电流和噪声,修改的TO-46或陶瓷基板封装,光纤耦合型可选
产品信息
光敏尺寸
暗电流
带宽
反向击穿电压
温度系数-击穿电压
封装
封装类型
引脚数
窗口
Ø205 μm
25 nA@M=10
1 GHz@M=10
45 … 75V@10μA
0.075V/K@10μA
TO-46
TO
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