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905D1S8L3J09-8010

特性

功率达75W的多结器件, 75um、150um和225um发光区尺寸, 经验证的InGaAs/GaAs高可靠性结构, 窄远场高功率多结结构, 极佳的温度稳定性

产品信息

单元数	单元中心距	连接方式	光谱线宽	封装	芯片型号	发光尺寸	峰值功率	峰值电流	发散角
8	- μ	-	9 nm	Chip	905D1S3J09	235 × 10 μm	75W	30A	10 × 20°

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Datasheet
1024KB/PDF