首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管1064nm增强型 SAT800E1

特性

      1060nm处非常高的量子效率,低噪声,高速, 可实现M>100倍增增益,800um或3mm光敏面直径,平缓的倍增曲线, 宽工作温度范围,

产品信息

光敏尺寸 暗电流 上升沿时间 反向击穿电压 响应度-特定波长 温度系数-击穿电压 封装 封装类型 引脚数 窗口
Ø800 μm 1 nA@M=100 1 ns@M=100 400V@10μA 25A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-8 TO 3 -

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 Datasheet
1024KB/PDF