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硅雪崩光电二极管
|
1064nm增强型
SAT800E1
特性
1060nm处非常高的量子效率,低噪声,高速, 可实现M>100倍增增益,800um或3mm光敏面直径,平缓的倍增曲线, 宽工作温度范围,
产品信息
光敏尺寸
暗电流
上升沿时间
反向击穿电压
响应度-特定波长
温度系数-击穿电压
封装
封装类型
引脚数
窗口
Ø800 μm
1 nA@M=100
1 ns@M=100
400V@10μA
25A/W@M=100,1064nm
2.5V/K
TO-8
TO
3
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Datasheet
1024KB/PDF