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硅雪崩光电二极管
|
近红外增强型
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Reach-Through贯穿型
SARP500T8
特性
非常高的量子效率,低噪声,高速, 可实现M>200倍增增益,500um和更大光敏面直径, 平缓的倍增曲线, 宽工作温度范围,可供应光纤耦合型
产品信息
光敏尺寸
暗电流
上升沿时间
反向击穿电压
温度系数-击穿电压
封装
封装类型
引脚数
窗口
Ø500 μm
0.5 nA@M=100
0.45 ns@M=100
150 … 400V@10μA
1V/K
TO-8
TO
6
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Datasheet
1024KB/PDF