SAP500T6_Laser Components_盖革雪崩光电二极管(GM-APD)_单光子探测器件__阵列_模组_派铼兹科贸

SAP500T6

SAP500T6

光敏尺寸	暗电流	上升沿时间	反向击穿电压	制冷温度	暗计数率	后脉冲率	封装	封装类型	引脚数	窗口
500 μm	200 pA@M=250	0.5 ns@M=250,830nm,50Ω	125V@10μA	0℃	5000Counts/s@PDP=5%,2V OV,830nm	2%@PDP=5%,2V OV,830nm	TO-37	TO	6	-

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