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单光子探测器件

单光子探测器件的原理基于APD的盖革模式,能够在短时间内达到106-108倍增益,从而大幅提升信噪比,实现超弱光信号的测量。我们提供的单光子探测器件包括:盖革模式雪崩光电二极管(GM-APD),CMOS工艺的单光子雪崩二极管阵列(CMOS SPADs)以及硅固态光电倍增管(SIPM);

盖革雪崩光电二极管(GM-APD)

GM-APD是一种专为盖革模式工作而研发的APD,其单个光子的雪崩增益可高达108,在同类器件种拥有最高的灵敏度,并能提供一级和二级制冷有效减少暗计数率,因此被广泛运用于单光子计数领域。

应用:单光子计数,荧光探测,远距激光雷达和医疗检测等。

CMOS单光子雪崩二极管阵列(CMOS SPADs)

CMOS SPADs是采用采用CMOS工艺研发的盖革雪崩管阵列,专为FLASH激光雷达设计,能在信号输入后的极短时间内达到108级增益。首发阵列采用2*192像素,噪声小于50cps,像素内置的TDC在1.28μs的量程内可达312.5ps的时间分辨率,相当于约4.7cm到192m的距离测量范围。