EN

硅雪崩光电二极管

Si-APD的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制,相比普通PIN管,能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号,在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。

紫外增强型

紫外增强型APD的光谱响应范围可以延伸至255nm。并在紫外区有很好的响应度。

应用:医疗检测、荧光分析等。

红绿光增强型

红绿光增强型APD的响应峰值为650nm,在红绿光波长范围具有高响应度,非常适合高速微弱可见光探测,是可见光测距仪的理想选择。

应用:红绿激光测距仪、激光扫描仪、光通信等。

可见近红外型

峰值在800nm附近,覆盖范围400nm-1100nm的通用型APD,只需提供较低的反向偏压就可以获得较大的增益,速度快、暗电流低,响应度较高。

应用:激光测距、弱光检测、激光扫描、光通信等。

近红外增强型

近红外增强型APD在905nm具有非常高的量子效率和基础响应度,拥有目前市场上最小的芯片尺寸和各类特殊封装,专门针对激光雷达(LiDAR)和激光测距仪而设计,部分器件能够适应车载等苛刻的高温高湿条件。

应用:激光雷达、激光测距、安检扫描、3D测量、激光通信。

1064nm增强型

1064nm增强型APD在850nm-1000nm波段的量子效率高达80%以上,具有响应速度高、暗电流低等特点。

应用:1064nm激光测距。

内置前放型

内置前放型Si-APD在内部集成了高速的前置放大电路,可最大程度地减少噪声和漂移,提升探测信噪比,同时方便客户进行后续电路设计。

多元阵列

我们所提供的近红外增强型Si-APD阵列主要针对MEMS和FLASH型激光雷达,在保持单颗APD性能的同时提高系统分辨率,有效降低串扰,并且有多种像元尺寸、排列方式以及适应不同条件的封装可供选择,方便客户在最终定制前挑选出最适合的阵列方案。

应用:MEMS/FLASH型激光雷达。

Reach-through贯通型

采用Reach-through贯通型APD相比一般的外延型APD(近红外增强型)造价更高,但随之带来的是更高的响应和增益,更宽的增益区,更平稳的增益曲线,更可靠的耐击穿特性以及更低的过剩噪声系数。

制冷型

制冷型Si-APD能够有效地降低噪声,提升器件自身的信噪比。