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1064nm增强型

1064nm增强型APD在850nm-1000nm波段的量子效率高达80%以上,具有响应速度高、暗电流低等特点。

应用:1064nm激光测距。

图片 型号 光敏尺寸 上升沿时间 暗电流 反向击穿电压 响应度-特定波长 温度系数-击穿电压 封装 封装类型 引脚数 窗口
AD500-10 TO5i AD500-10 TO5i Ø500 μm 4 ns@M=100,1064nm,50Ω 1.5 nA@M=100 220 … 600V@2μA 49A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-5 TO 4 -
AD800-10 TO5i AD800-10 TO5i Ø800 μm 5 ns@M=100,1064nm,50Ω 3 nA@M=100 220 … 600V@2μA 49A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-5 TO 4 -
SAT3000E1 Ø3000 μm 3 ns@M=100 5 nA@M=100 400V@10μA 34A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-8 TO 3 -
AD4000-10 TO8S TEC AD4000-10 TO8S TEC Ø4000 μm 6 ns@M=100,1064nm,50Ω 50 nA@M=100 220 … 600V@2μA 49A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-8 TO 12 -
AD4000-10 TO8Si AD4000-10 TO8Si Ø4000 μm 6 ns@M=100,1064nm,50Ω 50 nA@M=100 220 … 600V@2μA 49A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-8 TO 6 -
AD1500-10 TO5I AD1500-10 TO5I Ø1500 μm 5 ns@M=100,1064nm,50Ω 7 nA@M=100 220 … 600V@2μA 49A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-5 TO 4 -
AD800-10 TO8SI Ø800 μm 5 ns@M=100,1064nm,50Ω 3 nA@M=100 220 … 600V@2μA 36A/W@M=100,1064nm 3.3V/K TO-8 TO 12 -
SAT800E1 Ø800 μm 1 ns@M=100 1 nA@M=100 400V@10μA 25A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-8 TO 3 -
SAT800G1 Ø800 μm 1 ns@M=100 1 nA@M=100 400V@10μA 25A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-5 TO 3 -
SAT800T6 Ø800 μm 1 ns@M=100 1 nA@M=100 400V@10μA 25A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-37 TO 6 -
SAT3000G1 Ø3000 μm 3 ns@M=100 5 nA@M=100 400V@10μA 34A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-5 TO 3 -
SAT3000T6 Ø3000 μm 3 ns@M=100 5 nA@M=100 400V@10μA 34A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-37 TO 3 -