1064nm增强型APD在850nm-1000nm波段的量子效率高达80%以上,具有响应速度高、暗电流低等特点。
应用:1064nm激光测距。
图片 | 型号 | 光敏尺寸 | 上升沿时间 | 暗电流 | 反向击穿电压 | 响应度-特定波长 | 温度系数-击穿电压 | 封装 | 封装类型 | 引脚数 | 窗口 |
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AD500-10 TO5i | Ø500 μm | 4 ns@M=100,1064nm,50Ω | 1.5 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 49A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-5 | TO | 4 | - | |
AD800-10 TO5i | Ø800 μm | 5 ns@M=100,1064nm,50Ω | 3 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 49A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-5 | TO | 4 | - | |
SAT3000E1 | Ø3000 μm | 3 ns@M=100 | 5 nA@M=100 | 400V@10μA | 34A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-8 | TO | 3 | - | |
AD4000-10 TO8S TEC | Ø4000 μm | 6 ns@M=100,1064nm,50Ω | 50 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 49A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-8 | TO | 12 | - | |
AD4000-10 TO8Si | Ø4000 μm | 6 ns@M=100,1064nm,50Ω | 50 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 49A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-8 | TO | 6 | - | |
AD1500-10 TO5I | Ø1500 μm | 5 ns@M=100,1064nm,50Ω | 7 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 49A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-5 | TO | 4 | - | |
AD800-10 TO8SI | Ø800 μm | 5 ns@M=100,1064nm,50Ω | 3 nA@M=100 | 220 … 600V@2μA | 36A/W@M=100,1064nm | 3.3V/K | TO-8 | TO | 12 | - | |
SAT800E1 | Ø800 μm | 1 ns@M=100 | 1 nA@M=100 | 400V@10μA | 25A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-8 | TO | 3 | - | |
SAT800G1 | Ø800 μm | 1 ns@M=100 | 1 nA@M=100 | 400V@10μA | 25A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-5 | TO | 3 | - | |
SAT800T6 | Ø800 μm | 1 ns@M=100 | 1 nA@M=100 | 400V@10μA | 25A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-37 | TO | 6 | - | |
SAT3000G1 | Ø3000 μm | 3 ns@M=100 | 5 nA@M=100 | 400V@10μA | 34A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-5 | TO | 3 | - | |
SAT3000T6 | Ø3000 μm | 3 ns@M=100 | 5 nA@M=100 | 400V@10μA | 34A/W@M=100,1064nm | 2.5V/K | TO-37 | TO | 3 | - |