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多元阵列

我们所提供的近红外增强型Si-APD阵列主要针对MEMS和FLASH型激光雷达，在保持单颗APD性能的同时提高系统分辨率，有效降低串扰，并且有多种像元尺寸、排列方式以及适应不同条件的封装可供选择，方便客户在最终定制前挑选出最适合的阵列方案。

应用：MEMS/FLASH型激光雷达。

图片 型号 像元数 像元尺寸 像元中心距 暗电流 反向击穿电压 上升沿时间 封装 封装类型 引脚数 窗口
8AA0.4-9 SMD 8AA0.4-9 SMD 8 1000 × 405 μm 500 μm 2.0 nA@M=50,880nm 100 … 400V@2μA 2 ns@M=100,905nm,50Ω Ceramic SMD SMD 22 -
SAH1L16-012LCC44 SAH1L16-012LCC44 16 620*190 μm 40 μm 4 nA@M=100,905nm 80 … 200V@10μA 1 ns@M=100,905nm,50Ω LCC SMD 44 -
16AA0.13-9 SMD 16AA0.13-9 SMD 16 648 × 208 μm 320 μm 1.0 nA@M=50,880nm 100 … 400V@2μA 2 ns@M=100,905nm,50Ω Ceramic SMD Special 22 -
16AA0.4-9 SMD 16AA0.4-9 SMD 16 1000 × 405 μm 500 μm 2.0 nA@M=50,880nm 160 … 240V@2μA 2 ns@M=100,905nm,50Ω Ceramic SMD Special 22 -
32AA1.2-9 BGA 32AA1.2-9 BGA 32 340 × 3600 μm 380 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω BGA SMD 36 -
32AA1.2-9 CH 32AA1.2-9 CH 32 340 × 3600 μm 380 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 32 -
32AA1.2-9 SMD 32 340 × 3600 μm 380 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω BGA SMD 36 -
4AA0.235-9 SMD 4AA0.235-9 SMD 4 470 × 500 μm 510 μm 50 pA@M=100 160 … 240V@2μA 1.3 ns@M=100,905nm,50Ω Ceramic SMD SMD 8 -
64AA0.04-9 SMD 50130701 64AA0.04-9 SMD 50130701 64 205 × 205 μm 320 μm 0.3 nA@M=100 200V@2μA 2 ns@M=100,905nm,50Ω BGA SMD 68 -
64AA0.06-9 CH 64AA0.06-9 CH 64 236 × 236 μm 300 μm 0.5 nA@M=100 160 … 240V@10μA 0.6 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 64 -
64AA0.375-9 CH 64AA0.375-9 CH 64 150 × 2500 μm 190 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 64 -
64AA1.2-9 BGA 64AA1.2-9 BGA 64 240 × 5000 μm 280 μm 0.25 nA@M=50 180 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω BGA SMD 72 -
25AA0.04-9 SMD 25AA0.04-9 SMD 25 205 × 205 μm 300 μm 0.3 nA@M=100 200V@2μA 2 ns BGA SMD 29 Filter
64AA0.375-9 CH W/PCB ----------
32AA1.2-9 CH W/PCB ----------
AA16-9P DIL18 16 648 × 208 μm 320 μm 5 nA@M=100 100 … 300V 2 ns@M=100,905nm,50Ω - Special 18 -
SAH1L12-012S14 12 620*190 μm 40 μm 4 nA@M=100,905nm 80 … 200V@10μA 1 ns@M=100,905nm,50Ω DIP Special 14 -
SAH1L12-012LCC44 12 620*190 μm 40 μm 4 nA@M=100,905nm 80 … 200V@10μA 1 ns@M=100,905nm,50Ω LCC SMD 44 -
SAH1L08-012LCC44 8 620*190 μm 40 μm 4 nA@M=100,905nm 80 … 200V@10μA 1 ns@M=100,905nm,50Ω LCC SMD 44 -
64AA0.475-9 64 190 × 2500 μm 230 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 29 -
6AA0.04-9 6 - μ - μ - n - - n - Chip - -
8AA0.11-9 CH 8 215 × 500 μm 255 μm 1.0 nA@M=50 160 … 240V@10μA 1.5 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 10 -
8AA0.2-9 SMD 8 - μ - μ - n - - n - SMD - -

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