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砷化铟(InAs)

InAs-PD相比InGaAs扩展型拥有更长的截止波长,更大的分流电阻,可在室温下工作。

应用:非接触式测温、激光监测、红外分光光度计等。

图片 型号 光敏尺寸 暗电流 比探测率 电容 封装 封装类型 引脚数 窗口
IA35S500S4i IA35S500S4i Ø0.5 mm 0.15 mA@-0.1V 1.0E+10cm√Hz/W 1000 pF@0V TO-46 TO 3 -
IA-010 IA-010 Ø1.0 mm - - 400 pF TO-46 TO 2 -